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IRFRU5505	文件：108.01 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-55V,Rds(on)=0.11ohm,Id=-18A)	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFU5505	文件：108.01 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-55V,Rds(on)=0.11ohm,Id=-18A)	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFU5505GPBF	文件：1.67771 Mbytes Page：10 Pages	UltraLowOn-Resistance VDSS=-55V RDS(on)=0.11Ω ID=-18A Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignth	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFU5505PBF	文件：974.87 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
IRFU5505PBF	文件：3.91037 Mbytes Page：10 Pages	ULTRALOWON-RESISTANCE	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU5505PBF	文件：1.40006 Mbytes Page：10 Pages	UltraLowOn-Resistance Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
LTC5505	文件：228.25 Kbytes Page：14 Pages	UltraFast??7nsResponseTime15GHzRFPowerDetectorwithComparator	LINERLinear Technology 线性技术公司	LINER
LTC5505	文件：307.33 Kbytes Page：16 Pages	800MHzto2.7GHzHighLinearityDirectConversionQuadratureDemodulator	LINERLinear Technology 线性技术公司	LINER
LTC5505	文件：151.84 Kbytes Page：12 Pages	UltraFast??7nsResponseTime15GHzRFPowerDetectorwithComparator	LINERLinear Technology 线性技术公司	LINER
LTC5505	文件：194.9 Kbytes Page：12 Pages	800MHzto1.5GHzDirectConversionQuadratureDemodulator	LINERLinear Technology 线性技术公司	LINER
LTC5505	文件：189.99 Kbytes Page：8 Pages	RFFrequencyRange:800MHzto2.7GHz	LINERLinear Technology 线性技术公司	LINER
MP5505	文件：805.5 Kbytes Page：15 Pages	7V,4A,High-EfficiencyEnergyStorageandManagementUnit	MPSMonolithic Power Systems Inc. 美国芯源美国芯源系统有限公司	MPS
MP5505A	文件：1.0664 Mbytes Page：17 Pages	7V,4A,High-EfficiencyEnergyStorageandManagementUnit	MPSMonolithic Power Systems Inc. 美国芯源美国芯源系统有限公司	MPS
MP5505AGL	文件：1.0664 Mbytes Page：17 Pages	7V,4A,High-EfficiencyEnergyStorageandManagementUnit	MPSMonolithic Power Systems Inc. 美国芯源美国芯源系统有限公司	MPS
MP5505AGL	文件：717.46 Kbytes Page：6 Pages	PMUforSSDEvaluationBoard	MPSMonolithic Power Systems Inc. 美国芯源美国芯源系统有限公司	MPS
MP5505EGL	文件：199.3 Kbytes Page：7 Pages	7V,4AEnergyStorageandManagementUnitApplicationEvaluationBoard	MPSMonolithic Power Systems Inc. 美国芯源美国芯源系统有限公司	MPS
MP5505GL	文件：805.5 Kbytes Page：15 Pages	7V,4A,High-EfficiencyEnergyStorageandManagementUnit	MPSMonolithic Power Systems Inc. 美国芯源美国芯源系统有限公司	MPS
PT5505	文件：174.93 Kbytes Page：2 Pages	3-A5-V/3.3-VInputAdjustableIntegratedSwitchingRegulator	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
PT5505A	文件：174.93 Kbytes Page：2 Pages	3-A5-V/3.3-VInputAdjustableIntegratedSwitchingRegulator	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
PT5505C	文件：174.93 Kbytes Page：2 Pages	3-A5-V/3.3-VInputAdjustableIntegratedSwitchingRegulator	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI

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详细参数

型号：
IRFR5505TRR
功能描述：
MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
HEXFET®
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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