| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO252 |
7906200 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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VISHAY(威世)TO-252 |
9203 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世TO-252 |
495 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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SOT-252 |
68900 |
仙童 |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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仙童SOT-252 |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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Vishay SiliconixTO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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IRTO-252 |
90000 |
20+ |
全新原装正品/库存充足 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世NA/ |
5750 |
23+ |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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上海磐岳电子有限公司6年
留言
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IRTO-252 |
5800 |
2023+ |
进口原装,现货热卖 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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IR/VISHAYTO-252-2 |
55000 |
2019 |
原装正品现货假一赔十 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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IR/VISH |
65230 |
21+ |
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深圳市维尔达电子有限公司7年
留言
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apecTO-252 |
80000 |
2023+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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VISHAY/威世TO-252 |
50000 |
21+ |
终端可免费提供样品,欢迎咨询 |
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深圳市天成基业科技有限公司2年
留言
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IRTO-252 |
9500 |
20+/21+ |
全新原装进口价格优势 |
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无锡固电半导体股份有限公司4年
留言
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iscDPAK/TO-252 |
8500 |
2024 |
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国产品牌isc,可替代原装 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
85900 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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VISHAY/威世通DPAK |
36900 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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深圳市昌和盛利电子有限公司14年
留言
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IRTO-252 |
35890 |
23+ |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世DPAK |
32365 |
21+ROHS |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
留言
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Vishay SiliconixTO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
IRFR9010采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRFR9010图片
IRFR9010TR价格
IRFR9010TR价格：￥1.9500品牌：IR
生产厂家品牌为IR的IRFR9010TR多少钱，想知道IRFR9010TR价格是多少？参考价：￥1.9500。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRFR9010TR批发价格及采购报价，IRFR9010TR销售排行榜及行情走势，IRFR9010TR报价。
IRFR9010中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFR9010功能描述:MOSFET P-Chan 60V 5.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR9010PBF功能描述:MOSFET P-Chan 50V 5.3 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR9010TR功能描述:MOSFET P-Chan 60V 5.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR9010TRL功能描述:MOSFET P-Chan 60V 5.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR9010TRLPBF功能描述:MOSFET P-Chan 60V 5.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR9010TRPBF功能描述:MOSFET P-Chan 60V 5.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR9010TRR功能描述:MOSFET P-CH 50V 5.3A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
