选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
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Vishay SiliconixTO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司3年
留言
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Vishay SiliconixTO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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易创佳业科技(深圳)有限公司3年
留言
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Vishay SiliconixTO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC |
9000 |
23+ |
原装正品,支持实单 |
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深圳市科雨电子有限公司4年
留言
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VISHAYTO-252 |
3000 |
1503+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司14年
留言
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IRTO-252 |
50000 |
2023+ |
原装现货 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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Vishay SiliconixTO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司3年
留言
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Vishay SiliconixTO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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京海半导体(深圳)有限公司3年
留言
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VISHAY/威世TO-252 |
10000 |
21+ |
原装现货假一罚十 |
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易创佳业科技(深圳)有限公司3年
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Vishay SiliconixTO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC |
9000 |
23+ |
原装正品,支持实单 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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IRTO-252-2 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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天津市博通航睿技术有限公司2年
留言
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VBTO-252AA |
7000 |
23+ |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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VBTO-252AA |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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深圳市科雨电子有限公司4年
留言
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VISHAYTO-252 |
3000 |
1503+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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Vishay SiliconixTO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司3年
留言
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Vishay SiliconixTO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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京海半导体(深圳)有限公司3年
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VBD-PakTO-252AA |
10000 |
21+ |
原装现货假一罚十 |
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易创佳业科技(深圳)有限公司3年
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Vishay SiliconixTO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC |
9000 |
23+ |
原装正品,支持实单 |
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天津市博通航睿技术有限公司2年
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VBD-PakTO-252AA |
7000 |
23+ |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
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VBD-PakTO-252AA |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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深圳市科雨电子有限公司4年
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VISHAYTO-252 |
3000 |
1503+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
IRFR9014NTR采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IRFR9014NTR图片
IRFR9014NTRL中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFR9014NTR功能描述:MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFR9014NTRL功能描述:MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFR9014NTRR功能描述:MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件