| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市英博尔电子有限公司4年
留言
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INFINEONTO-252 |
10000 |
23+ |
全新、原装 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRTO-252 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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SOP |
4217 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-252-3 |
35000 |
23+ |
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热卖原装现货 |
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深圳市弘扬芯城科技有限公司1年
留言
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TECH PUBLIC(台舟)TO-252 |
5000 |
24+ |
诚信服务,绝对原装原盘。 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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INFINEON/英飞凌TO252 |
9850 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市英博尔电子有限公司4年
留言
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INFINEONTO-252 |
10000 |
23+ |
全新、原装 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌DPAK |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
留言
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IRD-PAK |
65400 |
23+ |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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IRTO252 |
7906200 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司4年
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INFINEONTO-252 |
918000 |
23+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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IRTO-252 |
25838 |
202015+ |
原装库存有订单来谈优势 |
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司1年
留言
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IRTO252 |
700000 |
23+ |
公主请下单 柒号只做原装 |
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深圳市胜彬电子有限公司11年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-252 |
8000 |
2038+ |
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原装正品假一罚十 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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INFINEONSOP |
9800 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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IRSOT-252 |
9850 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市恒达亿科技有限公司10年
留言
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IRTO-252 |
6000 |
23+ |
全新原装现货、诚信经营! |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRTO-252 |
358 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市赛特兴科技有限公司3年
留言
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INFINEONTO-252 |
3000 |
22+ |
正规渠道,只有原装! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司1年
留言
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IRTO252 |
6500 |
23+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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IRFR9024NTRPBF Internation.Rectifer-MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
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更多IRFR9024功能描述:MOSFET P-Chan 60V 8.8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR9024CPBF功能描述:MOSFET P-Chan 60V 8.8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR9024CTRLPBF功能描述:MOSFET P-Chan 60V 8.8 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR9024N功能描述:MOSFET MOSFET, P-CHANNEL, -55V, 11A, 175 mOhm, 12.7 nC Qg, D-Pak RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR9024NCPBF功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR9024NCTRPBF功能描述:MOSFET MOSFET, P-CHANNEL, -55V, 11A, 175 mOhm, 12.7 nC Qg, D-Pak RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR9024NPBF功能描述:MOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 175mOhms 12.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR9024NPBFEL制造商:International Rectifier
IRFR9024NTR功能描述:MOSFET MOSFET, P-CHANNEL, -55V, 11A, 175 mOhm, 12.7 nC Qg, D-Pak RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFR9024NTRL功能描述:MOSFET P-CH 55V 11A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
