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IRFR210TRLPBFA	文件：4.91599 Mbytes Page：7 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The DPAK is designed for surface mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques. Th 文件：4.91599 Mbytes 页数：7 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRFR210TRPBF	文件：2.39965 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The DPAK is designed for surface mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques. Th 文件：2.39965 Mbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFR210TRPBFA	文件：4.91599 Mbytes Page：7 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The DPAK is designed for surface mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques. Th 文件：4.91599 Mbytes 页数：7 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRFR210TRPBF-TP	文件：2.86747 Mbytes Page：5 Pages	丝印：FL210；Package：SOT223；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET GENERAL FEATURES Vos = 200V = 10A @Vos = 10v. B Roson $1350 @Vos= 10V 507-223 package. \| 文件：2.86747 Mbytes 页数：5 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
IRFR210TRR	文件：2.39965 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The DPAK is designed for surface mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques. Th 文件：2.39965 Mbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFR210TRRA	文件：4.91599 Mbytes Page：7 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The DPAK is designed for surface mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques. Th 文件：4.91599 Mbytes 页数：7 Pages	KERSEMI	KERSEMI
IRFR210A	文件：321.55 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：321.55 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFR210PBF	文件：834.32 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET 文件：834.32 Kbytes 页数：11 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFR210PBF-BE3AB	文件：834.32 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET 文件：834.32 Kbytes 页数：11 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFR210TRLPBFA	文件：834.32 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET 文件：834.32 Kbytes 页数：11 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY

详细参数

型号：
IRFR210
功能描述：
MOSFET N-Chan 200V 2.6 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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