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IRFS3607	文件：1.44228 Mbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFS3607	文件：813.55 Kbytes Page：4 Pages	SingleN-ChannelMOSFET Features AdvancedTrenchMOSTechnology 100EASGuaranteed GreenDeviceAvailable SuperLowGateCharge Applications PowerTools. UPS SynchronousRectificationinSMPS.	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
IRFS3607	文件：189.59 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFS3607PBF	文件：1.5573 Mbytes Page：7 Pages	ThinkiSemi85V,92AN-ChannelTrenchProcessPowerMOSFETs	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
IRFS3607PBF	文件：425.92 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET Benefits •ImprovedGate,AvalancheandDynamic dv/dtRuggedness •FullyCharacterizedCapacitanceand AvalancheSOA •EnhancedbodydiodedV/dtanddI/dt Capability Applications •HighEfficiencySynchronousRectificationin SMPS •UninterruptiblePowerSupply •Hi	IRF International Rectifier	IRF
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IRFS3607TRLPBF	文件：327.29 Kbytes Page：11 Pages	HighEfficiencySynchronousRectificationinSMPS	IRF International Rectifier	IRF
IRFSL3607PBF	文件：1.5573 Mbytes Page：7 Pages	ThinkiSemi85V,92AN-ChannelTrenchProcessPowerMOSFETs	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI

详细参数

型号：
IRFR3607TRPBF
功能描述：
MOSFET MOSFT 75V 80A 9.0mOhm 56nC Qg
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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