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IRFP4321PBF	文件：288.38 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET Benefits ● Low RDSON Reduces Losses ● Low Gate Charge Improves the Switching Performance ● Improved Diode Recovery Improves Switching & EMI Performance ● 30V Gate Voltage Rating Improves Robustness ● Fully Characterized Avalanche SOA Applications ● Motion Control Applications ● High Ef 文件：288.38 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRFP4321	文件：335.58 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor 文件：335.58 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFP4321PBF	文件：297.34 Kbytes Page：9 Pages	Motion Control Applications 文件：297.34 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRFP4321PBF_15	文件：297.34 Kbytes Page：9 Pages	Motion Control Applications 文件：297.34 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRFP4321	文件：300 bytes Page：1 Pages	150V 单 N 通道 StrongIRFET ™功率 MOSFET，采用 TO-247 封装 \n优势:\n• 符合 RoHS;	Infineon 英飞凌	Infineon

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更多IRFP432供应商更新时间2026-4-21 16:24:00