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IRFP27N60K	文件：211.37 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET FEATURES • Low gate charge Qg results in simple drive requirement • Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness • Fully characterized capacitance and avalanche voltage and current • Enhanced body diode dV/dt capability • Material categorization: for definitions of compliance ple 文件：211.37 Kbytes 页数：11 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFP27N60K	文件：91.43 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)typ.=180mohm, Id=27A) HEXFET® Power MOSFET Benefits Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggedness Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current Enhanced Body Diode dv/dt Capability Applications Hard Switch 文件：91.43 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRFP27N60K	文件：445.8 Kbytes Page：2 Pages	iscN-Channel MOSFET Transistor • DESCRITION • Switching Voltage Regulators • FEATURES • Low drain-source on-resistance: RDS(ON) =0.22Ω (MAX) • Enhancement mode: Vth = 3.0 to 5.0V (VDS = 10 V, ID=0.25mA) • 100 avalanche tested • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation 文件：445.8 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFP27N60K	文件：156.63 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET 文件：156.63 Kbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFP27N60K	文件：191.88 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：191.88 Kbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFP27N60K	文件：214.44 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET 文件：214.44 Kbytes 页数：11 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFP27N60K_V02	文件：211.37 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET FEATURES • Low gate charge Qg results in simple drive requirement • Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness • Fully characterized capacitance and avalanche voltage and current • Enhanced body diode dV/dt capability • Material categorization: for definitions of compliance ple 文件：211.37 Kbytes 页数：11 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFP27N60KPBF	文件：596.56 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET Benefits ● Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement ● Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggedness ● Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current ● Enhanced Body Diode dv/dt Capability Applications ● Hard Switching Primary or PFC Switch ● Switch M 文件：596.56 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRFP27N60K_17	文件：191.88 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：191.88 Kbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFP27N60K_V01	文件：214.44 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET 文件：214.44 Kbytes 页数：11 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY

详细参数

型号：
IRFP27N60K
功能描述：
MOSFET N-Chan 600V 27 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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