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IRFP27N60K_V02	文件：211.37 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET FEATURES • Low gate charge Qg results in simple drive requirement • Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness • Fully characterized capacitance and avalanche voltage and current • Enhanced body diode dV/dt capability • Material categorization: for definitions of compliance ple 文件：211.37 Kbytes 页数：11 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
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更多IRFP27N60K_V02供应商更新时间2025-11-30 17:57:00