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IRFP251

N-Channel Power Mosfets

文件:518.69 Kbytes 页数:7 Pages

SAMSUNG

三星

IRFP251

High Voltage Power MOSFET Die N-Channel Enhancement Mode High Ruggedness Series

FEATURES: • Fast switching times • Low RDS(on) HDMOS™ process • Rugged polysilicon gate cell structure • Excellent high voltage stability • Low input capacitance • Improved high temperature reliability APPLICATIONS: • Switching power supplies • Motor controls • Audio Amplifiers • Invert

文件:49.56 Kbytes 页数:1 Pages

IXYS

艾赛斯

IRFP251

N-Channel(Hexfet Transistors)

文件:493.77 Kbytes 页数:8 Pages

IRF

IRFP251

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:67.84 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

IRFP251

N-channel power MOSFET, 150V, 30A

Infineon

英飞凌

详细参数

  • 型号:

    IRFP251

  • 制造商:

    Rochester Electronics LLC

  • 功能描述:

    - Bulk

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IR
15+
TO-247
11560
全新原装,现货库存,长期供应
询价
MOSPEC
24+
TO-3P
8866
询价
IR
23+
TO-3P
5000
原装正品,假一罚十
询价
IR/VISHAY
22+
TO-247
6000
十年配单,只做原装
询价
IR
23+
TO-3P
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
询价
IR
2023+
TO-247
50000
原装现货
询价
IR
23+
TO-247
8000
只做原装现货
询价
IR
23+24
TO-3P
9860
原厂原包装。终端BOM表可配单。可开13%增值税
询价
IR
23+
TO-247
7000
询价
24+
N/A
56000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
询价
更多IRFP251供应商 更新时间2026-4-20 11:04:00