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IRFP264N	文件：222.56 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=60mohm, Id=44A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFP264N	文件：151.28 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION FifthgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknowfor,providesthedesignerwit	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFP264NPBF	文件：148.62 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFP264NPBF	文件：151.28 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION FifthgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknowfor,providesthedesignerwit	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
264M	文件：68.76 Kbytes Page：2 Pages	3M??LappingFilmAluminumOxide254X	3MMinnesota Mining and Manufacturing 明尼苏达矿务明尼苏达矿务及制造业公司	3M
A264B/G	文件：109.91 Kbytes Page：7 Pages	3.0mmRoundTypeLEDLamps	EverlightEverlight Electronics Co Ltd 台湾亿光亿光电子工业股份有限公司	Everlight
A264B-G	文件：109.91 Kbytes Page：7 Pages	3.0mmRoundTypeLEDLamps	EverlightEverlight Electronics Co Ltd 台湾亿光亿光电子工业股份有限公司	Everlight
AC264	文件：175.51 Kbytes Page：2 Pages	TO-8CASCADABLEAMPLIFIER	TELEDYNE TELEDYNE	TELEDYNE
AMS264	文件：22.95 Kbytes Page：3 Pages	PNPSILICONHIGHFREQUENCYTRANSISTOR	ADMOS Advanced Monolithic Systems	ADMOS
AN-264	文件：219.2 Kbytes Page：3 Pages	DYNAMICCHARACTERISTICSOFTRACKINGCONVERTERSBYMARKTHOMAS	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AOB264L	文件：282.65 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOB264L	文件：299.38 Kbytes Page：6 Pages	60VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheAOT264L/AOB264LcombinesadvancedtrenchMOSFETtechnologywithalowresistancepackagetoprovideextremelylowRDS(ON).Thisdeviceisidealforboostconvertersandsynchronousrectifiersforconsumer,telecom,industrialpowersuppliesandLEDbacklighting. ProductSu	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOT264L	文件：289.25 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOT264L	文件：299.38 Kbytes Page：6 Pages	60VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheAOT264L/AOB264LcombinesadvancedtrenchMOSFETtechnologywithalowresistancepackagetoprovideextremelylowRDS(ON).Thisdeviceisidealforboostconvertersandsynchronousrectifiersforconsumer,telecom,industrialpowersuppliesandLEDbacklighting. ProductSu	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AQZ264	文件：648.09 Kbytes Page：3 Pages	Highcapacityupto6AinaslimSILpackage FEATURES 1.HighcapacitytypepowerPhotoMOS. Canswitchawiderangeofcurrentsandvoltages.Cancontrolvarioustypesofloads,fromverysmallloadstoamax.6AAC/DCcurrentforsequencers,motors,andlamps. 2.Lowon-resistanceandhighsensitivity. Lowon-resistanceoflessth	PanasonicPanasonic Corporation 松下松下电器	Panasonic
ASIMRF264	文件：30.03 Kbytes Page：1 Pages	SILICONNPNRFPOWERTRANSISTOR DESCRIPTION: TheASIMRF264isDesignedforClassCVHFMobileRadioPowerAmplifierApplicationsOperatingat12.5Volts. FEATURES: •POUT=30WMin.@175MHz •GoldMetalization •EconomicalTO-220CEPackage	ASI Advanced Semiconductor, Inc	ASI
AT-264	文件：154.85 Kbytes Page：4 Pages	DigitalAttenuator,4-Bit,SingleControl30dB,0.5-2.0GHz Description MACOM’sAT-264isa4-bit,2-dBstepGaAsMMICdigitalattenuatorinalowcostTSSOP-16surfacemountplasticpackage.TheAT-264isideallysuitedforusewherehighaccuracy,verylowpowerconsumptionandlowintermodulationproductsarerequired.Typicalapplicationsincluderadi	MA-COM M/A-COM Technology Solutions, Inc.	MA-COM
AT-264	文件：200.22 Kbytes Page：3 Pages	DigitalAttenuator,4-Bit,SingleControl30dB,0.5-2.0GHz	MACOM Tyco Electronics	MACOM
AT-264	文件：59.84 Kbytes Page：2 Pages	DigitalAttenuator,4Bit,SingleControl30dB,0.5-2.0GHz Description TheM/A-COMAT-264isa4bit,2dBstepGaAsMMICdigitalattenuatorinalowcostTSSOP-16surfacemountplasticpackage.TheAT-264isideallysuitedforusewherehighaccuracy,verylowpowerconsumptionandlowintermodulationproductsarerequired.Typicalapplicationsinclude	MACOM Tyco Electronics	MACOM
AT-264-PIN	文件：154.85 Kbytes Page：4 Pages	DigitalAttenuator,4-Bit,SingleControl30dB,0.5-2.0GHz Description MACOM’sAT-264isa4-bit,2-dBstepGaAsMMICdigitalattenuatorinalowcostTSSOP-16surfacemountplasticpackage.TheAT-264isideallysuitedforusewherehighaccuracy,verylowpowerconsumptionandlowintermodulationproductsarerequired.Typicalapplicationsincluderadi	MA-COM M/A-COM Technology Solutions, Inc.	MA-COM

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详细参数

型号：
IRFP264N
功能描述：
MOSFET N-Chan 250V 44 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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