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IRFP264N	文件：222.56 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=60mohm, Id=44A) Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide 文件：222.56 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRFP264N	文件：151.28 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Fifth generation Power MOSFETs from Vishay utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area.This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that Power MOSFETs are well know for, provides the designer wit 文件：151.28 Kbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
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IRFP264NPBF	文件：148.62 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide 文件：148.62 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRFP264N	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET	Vishay 威世科技	Vishay
IRFP264N	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=60mohm, Id=44A)	Infineon 英飞凌	Infineon

详细参数

型号：
IRFP264N
功能描述：
MOSFET N-Chan 250V 44 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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