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IRFP264N	文件：222.56 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=60mohm, Id=44A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRFP264N	文件：151.28 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION FifthgenerationPowerMOSFETsfromVishayutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatPowerMOSFETsarewellknowfor,providesthedesignerwit	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP264NPBF	文件：148.62 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
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IRFP264PBF	文件：1.56832 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. FEATURES •DynamicdV/dtRating •RepetitiveAvalancheRated •IsolatedCentralMountingHole •FastSw	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP264PBF	文件：900.39 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFP264PBF	文件：1.57849 Mbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IS264	文件：157.4 Kbytes Page：1 Pages	1Wepoxysealtype	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
ISCNH264F	文件：296.12 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
KPCIEX-SM264BK	文件：939.84 Kbytes Page：1 Pages	StraddleMountPCIExpressCardEdge	KYCON Kycon, Inc.	KYCON

详细参数

型号：
IRFP264N
功能描述：
MOSFET N-Chan 250V 44 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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