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IRFP250NPBF	文件：208.74 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFP250PBF	文件：1.86389 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effictiveness. TheTO-220packageisuniversiallypreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerleve	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFP250_17	文件：1.46833 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFP250_V01	文件：1.49088 Mbytes Page：11 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
IRFP250A	文件：2.43012 Mbytes Page：7 Pages	ThinkiSemi 200V,32A N-Channel Planar Process Power MOSFETs	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
IRFP250B	文件：2.4987 Mbytes Page：7 Pages	ThinkiSemi 200V,32A N-Channel Planar Process Power MOSFETs	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
IRFP250B	文件：451.54 Kbytes Page：7 Pages	200V N-Channel MOSFET	ARTSCHIP ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.	ARTSCHIP
IRFP250M	文件：2.88166 Mbytes Page：8 Pages	ThinkiSemi 200V,30A N-Channel Planar Process Power MOSFETs	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
IRFP250M	文件：333.5 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFP250MPBF	文件：262.82 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFP250MPBF	文件：4.84983 Mbytes Page：8 Pages	ThinkiSemi 200V,30A N-Channel Planar Process Power MOSFETs	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
IRFP250MPBF	文件：642.71 Kbytes Page：8 Pages	Advanced Process Technology	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFP250MPBF_15	文件：642.71 Kbytes Page：8 Pages	Advanced Process Technology	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFP250N	文件：2.82449 Mbytes Page：8 Pages	ThinkiSemi 200V,30A N-Channel Planar Process Power MOSFETs	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
IRFP250N	文件：169.52 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFP250N_18	文件：333.48 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFP250NPBF	文件：186.2 Kbytes Page：8 Pages	Advanced Process Technology	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFP250NPBF	文件：2.8601 Mbytes Page：8 Pages	ThinkiSemi 200V,30A N-Channel Planar Process Power MOSFETs	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
IRFP250NPBF	文件：272.64 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFP250NPBF_15	文件：186.2 Kbytes Page：8 Pages	Advanced Process Technology	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF

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详细参数

型号：
IRFP250
功能描述：
MOSFET N-Chan 200V 30 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多IRFP250供应商更新时间2024-6-6 17:03:00

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