100V,60A Heatsink N-Channel Type Power MOSFET

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THINKISEMI

思祁半导体

N-Channel MOSFET Transistor

文件：334.33 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

文件：1.03047 Mbytes 页数：9 Pages

IRF

ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY

文件：1.03047 Mbytes 页数：9 Pages

IRF

Power MOSFET

文件：1.50788 Mbytes 页数：11 Pages

VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

isc N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

采用 TO-247 M 系列封装的 100V 单 N 沟道功率 MOSFET

IR MOSFET 系列产品采用成熟的硅工艺，为设计人员提供了丰富的器件组合，以支持各种应用，例如直流电机、逆变器、SMPS、照明、负载开关以及电池供电应用等。这些器件拥有各种表贴封装装和通孔封装产品，都是行业标准封装，便于设计。 • 适用于宽 SOA 的平面单元结构\n• 针对分销合作伙伴的广泛可用性进行了优化\n• 产品符合 JEDEC 标准\n• 针对低于 <100kHz 开关应用进行硅优化\n• 行业标准通孔功率封装\n• 高额定电流;

Infineon

英飞凌

44A, 100V, 0.030 Ohm, N-Channel Power MOSFET

• Ultra Low On-Resistance\n-rDS(ON)= 0.030Ω, VGS = 10V\n• Simulation Models\n- Temperature Compensated PSPICE™ and SABER© Electrical Models\n- Spice and SABER© Thermal Impedance Models\n• Peak Current vs Pulse Width Curve\n• UIS Rating Curve;

ONSEMI

安森美半导体