选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
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IRTO-247 |
50000 |
13+ |
深圳市勤思达科技有限公司主营IR系列全新原装正品,公司现货供应IRFP150NPBF,现货热卖,欢迎咨询洽谈。 |
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深圳市勤尚伟业电子有限公司2年
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51300 |
21+ |
原装正品 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
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HARRIS/哈里斯TO247 |
300 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市润联芯城科技有限公司1年
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IRTO-3P |
165 |
10+ |
只做原装正品 |
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深圳市金胜达微科技有限公司2年
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IRTO-247 |
100000 |
22+ |
原厂订货价格优势,可开13%的增值税票 |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
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TSOC6 |
20000 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
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INFINEONNA |
38298 |
23+ |
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热卖原装进口 |
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深圳市誉腾达半导体科技有限公司1年
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INFINEONTO-247-3 |
3000 |
22+ |
公司只有原装 |
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深圳市智连鑫科技有限公司1年
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INFINEONTO-247-3 |
8000 |
23+ |
只做原装正品,假一罚十 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
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INFINEONTO-247 |
65400 |
20+ |
原装库存有订单来谈优势 |
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深圳兆威电子有限公司6年
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INFINEON/英飞凌TO-247AC |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市吉中创电子科技有限公司5年
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ONSEMINA |
3600 |
23+ |
公司现货原装 |
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深圳市英科美电子有限公司9年
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INFINEON/英飞凌TO-247 |
18380 |
2021+ |
原装进口假一罚十 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
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INFINEON/英飞凌TO-247-3 |
33 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市豪迈兴电子有限公司12年
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8279 |
2303+ |
只做原装现货假一罚十!价格最低!只卖原装现货 |
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深圳市华博特电子有限公司6年
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INFINEONTO247 |
2000 |
23/22+ |
全线可订货.含税开票 |
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深圳市纳睿斯电子科技有限公司2年
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20000 |
23+ |
原装现货,可追溯原厂渠道 |
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深圳市尚品诚源电子有限公司3年
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INFINEONN/A |
10000 |
23+ |
全新原现 |
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深圳市安博威科技有限公司4年
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VISHAYTO-247-3 |
50 |
21+ |
原装正品 有挂有货 |
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深圳权泰科技有限公司2年
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VISHAYTO-247 |
7100 |
12+ |
原装现货实单必成 只做原装! |
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IRFP150NPBF价格
IRFP150NPBF价格:¥4.5094品牌:INTERNATIONAL
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IRFP150NPBF IRFP250NPBF 深圳市中亿伟业电子有限公司
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IRFP150NPBF
销售部:李小姐mobile:13424246946 TEL:86-755-36943622-36858793QQ:2236823936 FAX:0755-82511212 E-mail:yulin522@126.com 公司网址:http://www.hemudakewen.com/
IRFP150PBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRFP150功能描述:MOSFET N-Chan 100V 41 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFP150_R4941功能描述:MOSFET TO-247 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFP150A功能描述:MOSFET 100V N-Channel A-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFP150FI功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 23A I(D) | TO-218VAR
IRFP150MPBF功能描述:MOSFET MOSFT 100V 39A 36mOhm 73.3nCAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFP150N功能描述:MOSFET N-CH 100V 42A TO-247AC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFP150N_R4942功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFP150NHR制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
IRFP150NPBF功能描述:MOSFET MOSFT 100V 39A 36mOhm 73.3nCAC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFP150PBF功能描述:MOSFET N-Chan 100V 41 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube