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IRFP150	文件：261.24 Kbytes Page：7 Pages	Advanced Power MOSFET FEATURES AvalancheRuggedTechnology RuggedGateOxideTechnology LowerInputCapacitance ImprovedGateCharge ExtendedSafeOperatingArea 175OperatingTemperature LowerLeakageCurrent:10A(Max.)@VDS=100V LowerRDS(ON):0.032Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFP150	文件：135.04 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.035W, Id=42A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRFP150	文件：44.9 Kbytes Page：1 Pages	HIGH VOLTAGE POWER MOSFET DIE FEATURES: ●Fastswitchingtimes ●LOWRDS(on)HDMOS™process ●Ruggedpolyslllcongatecellstructure ●Excellenthighvoltagestability ●Lowinputcapacitance ●Improvedhightemperaturereliability APPLICATIONS ●Switchingpowersupplies ●Motorcontrols ●AudioAmplifiers ●Inver	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IRFP150	文件：1.44982 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-247ACpackageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevelspreclude	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP150	文件：525.73 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Isolatedcentralmountinghole •175°Coperatingtemperature •Fastswitching •Easeofparalleling •Simpledriverequirements •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Not	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP150	文件：1.48533 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP150	文件：444.04 Kbytes Page：2 Pages	iscN-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFP150	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
IRFP150	文件：1.50788 Mbytes Page：11 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP150_V02	文件：525.73 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Isolatedcentralmountinghole •175°Coperatingtemperature •Fastswitching •Easeofparalleling •Simpledriverequirements •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Not	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
IRFP150
功能描述：
MOSFET N-Chan 100V 41 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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