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IRFP150A	文件：261.24 Kbytes Page：7 Pages	Advanced Power MOSFET FEATURES AvalancheRuggedTechnology RuggedGateOxideTechnology LowerInputCapacitance ImprovedGateCharge ExtendedSafeOperatingArea 175OperatingTemperature LowerLeakageCurrent:10A(Max.)@VDS=100V LowerRDS(ON):0.032Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFP150N	文件：135.04 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.035W, Id=42A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRFP150N	文件：148.84 Kbytes Page：10 Pages	44A, 100V, 0.030 Ohm, N-Channel Power MOSFET Features •UltraLowOn-Resistance -rDS(ON)=0.030Ω,VGS=10V •SimulationModels -TemperatureCompensatedPSPICE™andSABER©ElectricalModels -SpiceandSABER©ThermalImpedanceModels •PeakCurrentvsPulseWidthCurve •UISRatingCurve	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFP150NPBF	文件：1.03047 Mbytes Page：9 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRFP150PBF	文件：1.44982 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-247ACpackageispreferredforcommercial-industrialapplicationswherehigherpowerlevelspreclude	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP150V	文件：531.52 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET VDSS=100V RDS(on)=24mΩ ID=47A Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesig	IRF International Rectifier	IRF
IRFP150VPBF	文件：169.9 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET VDSS=100V RDS(on)=24mΩ ID=47A Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesig	IRF International Rectifier	IRF
IRFP150_17	文件：1.48533 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP150_V01	文件：1.50788 Mbytes Page：11 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFP150A	文件：113.61 Kbytes Page：1 Pages	N-Channel MOSFET Transistor	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS

详细参数

型号：
IRFP150
功能描述：
MOSFET N-Chan 100V 41 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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