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IRFP150M	文件：334.35 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFP150MPBF	文件：1.14705 Mbytes Page：8 Pages	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
IRFP150MPBF	文件：1.14705 Mbytes Page：8 Pages	Advanced Process Technology, Dynamic dv/dt Rating	IRF International Rectifier	IRF
IRFP150MPBF_15	文件：1.14705 Mbytes Page：8 Pages	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
IRFP150N	文件：135.04 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=0.035W,Id=42A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRFP150N	文件：148.84 Kbytes Page：10 Pages	44A,100V,0.030Ohm,N-ChannelPowerMOSFET Features •UltraLowOn-Resistance -rDS(ON)=0.030Ω,VGS=10V •SimulationModels -TemperatureCompensatedPSPICE™andSABER©ElectricalModels -SpiceandSABER©ThermalImpedanceModels •PeakCurrentvsPulseWidthCurve •UISRatingCurve	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFP150N	文件：243.86 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFP150N	文件：258.94 Kbytes Page：7 Pages	HEXFETPowerMOSFET	ARTSCHIP ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.	ARTSCHIP
IRFP150N	文件：725.62 Kbytes Page：3 Pages	100V,60AHeatsinkN-ChannelTypePowerMOSFET	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
IRFP150NPBF	文件：1.03047 Mbytes Page：9 Pages	ADVANCEDPROCESSTECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF

详细参数

型号：
IRFP150M
功能描述：
MOSFET MOSFT 100V 39A 36mOhm 73.3nCAC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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