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IRFP150M | N-Channel MOSFET Transistor 文件：334.35 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | |
ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY 文件：1.14705 Mbytes 页数：8 Pages | IRF | IRF | ||
Advanced Process Technology, Dynamic dv/dt Rating 文件：1.14705 Mbytes 页数：8 Pages | IRF | IRF | ||
ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY 文件：1.14705 Mbytes 页数：8 Pages | IRF | IRF | ||
IRFP150M | 采用 TO-247 M 系列封装的 100V 单 N 沟道功率 MOSFET IR MOSFET 系列产品采用成熟的硅工艺，为设计人员提供了丰富的器件组合，以支持各种应用，例如直流电机、逆变器、SMPS、照明、负载开关以及电池供电应用等。这些器件拥有各种表贴封装装和通孔封装产品，都是行业标准封装，便于设计。 • 适用于宽 SOA 的平面单元结构\n• 针对分销合作伙伴的广泛可用性进行了优化\n• 产品符合 JEDEC 标准\n• 针对低于 <100kHz 开关应用进行硅优化\n• 行业标准通孔功率封装\n• 高额定电流; | Infineon 英飞凌 | Infineon |
技术参数
- Ptotmax：
160 W
- Qgd：
38.7 nC
- QG(typ @10V)：
73.3 nC
- RDS (on)(@10V) max：
36 mΩ
- RthJCmax：
0.95 K/W
- Tjmax：
175 °C
- VDSmax：
100 V
- VGS(th)：
3 V
- VGSmax：
20 V
- Mounting：
THT
- Package：
TO-247
- Operating Temperature：
-55 °C to 175 °C
- Polarity：
N
- Budgetary Price €/1k：
0.71
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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更新时间2025-12-3 16:01:00
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