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IRFP048R	文件：1.89496 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-247AC package is preferred for commercial-industrial applications where higher power levels preclude 文件：1.89496 Mbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFP048R	文件：1.29533 Mbytes Page：11 Pages	Power MOSFET FEATURES • Dynamic dV/dt rating • Isolated central mounting hole • 175 °C operating temperature • Ease of paralleling • Simple drive requirements • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Third generation power MOSFETs from 文件：1.29533 Mbytes 页数：11 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFP048R	文件：1.91641 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：1.91641 Mbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFP048R	文件：1.91641 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：1.91641 Mbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFP048R	文件：444.82 Kbytes Page：2 Pages	iscN-Channel MOSFET Transistor 文件：444.82 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRFP048R_V01	文件：1.29533 Mbytes Page：11 Pages	Power MOSFET FEATURES • Dynamic dV/dt rating • Isolated central mounting hole • 175 °C operating temperature • Ease of paralleling • Simple drive requirements • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Third generation power MOSFETs from 文件：1.29533 Mbytes 页数：11 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFP048RPBF	文件：1.89496 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The TO-247AC package is preferred for commercial-industrial applications where higher power levels preclude 文件：1.89496 Mbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFP048R_11	文件：1.91641 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：1.91641 Mbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFP048RPBF	文件：1.91641 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：1.91641 Mbytes 页数：9 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
IRFP048RPBF	文件：2.31304 Mbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET 文件：2.31304 Mbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF

详细参数

型号：
IRFP048R
功能描述：
MOSFET N-CH 60V 70A TO-247AC
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
-
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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