N-Channel Enhancement-Mode Power MOS Field-Effect Transistors

5.0A and 6.0A, 60V-100V rDS(0n) = 0.30Ω and 0.40Ω Features: ■ SOA is power-dissipation limited ■ Nanosecond switching speeds ■ Linear transfer characteristics ■ High input impedance ■ Majority carrier device

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GESS

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

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ISC

无锡固电

isc Thyristors

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ISC

无锡固电

Precision Lowest Cost ISOLATION AMPLIFIER

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BURR-BROWN