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MJD122分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

MJD122

参数属性

MJD122 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK

功能描述

SILICON POWER TRANSISTORS 8 AMPERES 100 VOLTS 20 WATT

封装外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

文件大小

284.04 Kbytes

页面数量

8

生产厂商

Motorola

中文名称

摩托罗拉

网址

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更新时间

2025-12-14 22:09:00

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MJD122规格书详情

Designed for general purpose amplifier and low speed switching applications.

• Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No Suffix)

• Straight Lead Version in Plastic Sleeves (“–1” Suffix)

• Lead Formed Version Available in 16 mm Tape and Reel (“T4” Suffix)

• Surface Mount Replacements for 2N6040–2N6045 Series, TIP120–TIP122 Series, and TIP125–TIP127 Series

• Monolithic Construction With Built–in Base–Emitter Shunt Resistors

• High DC Current Gain — hFE = 2500 (Typ) @ IC = 4.0 Adc

• Complementary Pairs Simplifies Designs

产品属性

  • 产品编号:

    MJD122-1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    4V @ 80mA,8A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    10µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    1000 @ 4A,4V

  • 频率 - 跃迁:

    4MHz

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 供应商器件封装:

    DPAK

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK

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