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MJD117L
厂商型号

MJD117L

功能描述

EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (MONOLITHIC CONSTRUCTION WITH BUILT IN BASE-EMITTER SHUNT RESISTORS INDUSTRIAL USE.)

文件大小

394.75 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 KEC CORPORATION
企业简称

KEC

中文名称

KEC株式会社官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-9-25 20:00:00

MJD117L规格书详情

MONOLITHIC CONSTRUCTION WITH BUILT IN BASE-EMITTER SHUNT RESISTORS INDUSTRIAL USE.

FEATURES

• High DC Current Gain. : hFE=1000(Min.), VCE=-4V, IC=-1A.

• Low Collector-Emitter Saturation Voltage.

• Straight Lead (IPAK, L Suffix)

• Complementary to MJD112/L.

产品属性

  • 型号:

    MJD117L

  • 制造商:

    KEC

  • 制造商全称:

    KEC(Korea Electronics)

  • 功能描述:

    EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR(MONOLITHIC CONSTRUCTION WITH BUILT IN BASE-EMITTER SHUNT RESISTORS INDUSTRIAL USE.)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
KEC
22+
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100000
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