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MJD117分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料

MJD117

厂商型号	MJD117
参数属性	MJD117 封装/外壳为TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装为托盘；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK
功能描述	TRANSISTOR (PNP)
封装外壳	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
文件大小	275.25 Kbytes
页面数量	2 页
生产厂商	Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd
企业简称	JIANGSU【长电科技】
中文名称	江苏长电科技股份有限公司官网
原厂标识
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2025-5-24 23:01:00
人工找货	MJD117价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货

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晶体管资料

型号：
MJD117
别名：
MJD117三极管、MJD117晶体管、MJD117晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Darl
性质：
低频或音频放大（LF）
封装形式：
贴片封装
极限工作电压：
最大电流允许值：
2A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
最大耗散功率：
20W
放大倍数：
图片代号：
G-127
vtest：
0
htest：
999900
atest：
2
wtest：
20

MJD117规格书详情

TRANSISTOR (PNP)

FEATURES

● High DC Current Gain

● Low Collector-Emitter Saturation Voltage

● Complementary to MJD112

产品属性

产品编号：
MJD117
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
托盘
晶体管类型：
PNP - 达林顿
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
3V @ 40mA，4A
电流 - 集电极截止（最大值）：
20µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 2A，3V
频率 - 跃迁：
25MHz
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
DPAK
描述：
TRANS PNP DARL 100V 2A DPAK

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