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厂商型号

MJD112L

功能描述

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (MONOLITHIC CONSTRUCTION WITH BUILT IN BASE-EMITTER SHUNT RESISTORS INDUSTRIAL USE.)

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394.6 Kbytes

页面数量

2

生产厂商

KEC KEC(Korea Electronics)

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更新时间

2025-12-7 23:01:00

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MJD112L规格书详情

MONOLITHIC CONSTRUCTION WITH BUILT IN

BASE-EMITTER SHUNT RESISTORS INDUSTRIAL USE.

FEATURES

• High DC Current Gain.

: hFE=1000(Min.), VCE=4V, IC=1A.

• Low Collector-Emitter Saturation Voltage.

• Straight Lead (IPAK, L Suffix)

• Complementary to MJD117/L.

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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