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MJD112T4分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

MJD112T4
厂商型号

MJD112T4

参数属性

MJD112T4 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为剪切带(CT);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS DARL NPN 2A 100V DPAK

功能描述

SILICON POWER TRANSISTORS 2 AMPERES 100 VOLTS 20 WATTS

封装外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

文件大小

306.48 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 Motorola, Inc
企业简称

MOTOROLA摩托罗拉

中文名称

加尔文制造公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-25 22:59:00

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MJD112T4规格书详情

Complementary Darlington Power Transistors

DPAK For Surface Mount Applications

Designed for general purpose power and switching such as output or driver stages in applications such as switching regulators, converters, and power amplifiers.

• Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No Suffix)

• Straight Lead Version in Plastic Sleeves (“1” Suffix)

• Lead Formed Version in 16 mm Tape and Reel (“T4” Suffix)

• Surface Mount Replacements for TIP110–TIP117 Series

• Monolithic Construction With Built–in Base–Emitter Shunt Resistors

• High DC Current Gain — hFE = 2500 (Typ) @ IC = 2.0 Adc

• Complementary Pairs Simplifies Designs

产品属性

  • 产品编号:

    MJD112T4

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    剪切带(CT)

  • 晶体管类型:

    NPN - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    2V @ 8mA,2A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    20µA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    1000 @ 2A,3V

  • 频率 - 跃迁:

    25MHz

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 供应商器件封装:

    DPAK

  • 描述:

    TRANS DARL NPN 2A 100V DPAK

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST(意法半导体)
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