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IRFF210	文件：325.79 Kbytes Page：7 Pages	2.2A, 200V, 1.500 Ohm, N-Channel Power MOSFET ThisN-ChannelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchasswitching	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRFF210	文件：130.84 Kbytes Page：7 Pages	REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET?쏷RANSISTORS THRU-HOLE (TO-205AF) TheHEXFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance. TheHEXFETtransistorsalsofe	IRF International Rectifier	IRF
IRFF210	文件：16.64 Kbytes Page：1 Pages	N-Channel MOSFET in a Hermetically sealed TO39 N-ChannelMOSFETinaHermeticallysealedTO39MetalPackage. N-ChannelMOSFET. VDSS=200V ID=2.25A RDS(ON)=1.5Ω	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRFL210	文件：182.25 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)=1.5ohm,Id=0.96A) VDSS=200V,RDS(on)=1.5Ohm,ID=0.96A	IRF International Rectifier	IRF
IRFL210	文件：1.06848 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSOT-223packageisdesignedforsurface-mountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtec	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFL210	文件：1.58503 Mbytes Page：7 Pages	SurfaceMount	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFL210	文件：171.96 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET FEATURES •Surface-mount •Availableintapeandreel •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Fastswitching •Easeofparalleling •Simpledriverequirements •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Thirdg	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFL210PBF	文件：782.91 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET VDSS=200V,RDS(on)=1.5Ohm,ID=0.96A Lead-Free	IRF International Rectifier	IRF
IRFL210PBF	文件：1.06848 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSOT-223packageisdesignedforsurface-mountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtec	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFL210TR	文件：1.06848 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheSOT-223packageisdesignedforsurface-mountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtec	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
IRFF210
制造商：
International Rectifier
功能描述：
TRANS MOSFET N-CH 200V 2.25A 3PIN TO-39 - Bulk
功能描述：
N CH MOSFET, 200V, 2.25A, TO-205AF; Transistor
Polarity：
N Channel; Continuous Drain Current
Id：
2.25A; Drain Source Voltage
Vds：
200V; On Resistance
Rds(on)：
1.5ohm; Rds(on) Test Voltage
Vgs：
10V; Threshold Voltage Vgs
Typ：
4V ;RoHS
Compliant：
No

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