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IRFR120	文件：321.05 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFR120	文件：838.17 Kbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Surface-mount(IRFR120,SiHFR120) •Straightlead(IRFU120,SiHFU120) •Availableintapeandreel •Fastswitching •Easeofparalleling •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?9	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFR120	文件：1.38051 Mbytes Page：4 Pages	N-channelEnhancementModePowerMOSFET Features VDS=100V,ID=18.1A RDS(ON)	BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司	Bychip
IRFR-120	文件：825.2 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFR120A	文件：373.61 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFR120ATF	文件：258.5 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFR120ATM	文件：258.5 Kbytes Page：7 Pages	AvalancheRuggedTechnology	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFR120N	文件：152.65 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p	IRF International Rectifier	IRF
IRFR120N	文件：335.39 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFR120N	文件：536.66 Kbytes Page：7 Pages	TheD-PAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infraredorwavesolderingtechniques. Features VDS(V)=100V ID=9.4A(VGS=10V) RDS(ON)=210mW(VGS=10V)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW

详细参数

型号：
IRFF120R
功能描述：
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-205AF

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更多IRFF120R供应商更新时间2025-5-23 17:00:00

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