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IRFM120A	文件：269.29 Kbytes Page：7 Pages	IEEE802.3afCompatible IEEE802.3afCompatible FEATURES ❐AvalancheRuggedTechnology ❐RuggedGateOxideTechnology ❐LowerInputCapacitance ❐ImprovedGateCharge ❐ExtendedSafeOperatingArea ❐LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=100V ❐LowerRDS(ON):0.155Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFM120A	文件：725.8 Kbytes Page：6 Pages	AvalancheRuggedTechnology FEATURES ❐AvalancheRuggedTechnology ❐RuggedGateOxideTechnology ❐LowerInputCapacitance ❐ImprovedGateCharge ❐ExtendedSafeOperatingArea ❐LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=100V ❐LowerRDS(ON):0.155Ω(Typ.)	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFM120A	文件：274.78 Kbytes Page：7 Pages	AvalancheRuggedTechnology IEEE802.3afCompatible FEATURES ❐AvalancheRuggedTechnology ❐RuggedGateOxideTechnology ❐LowerInputCapacitance ❐ImprovedGateCharge ❐ExtendedSafeOperatingArea ❐LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=100V ❐LowerRDS(ON):0.155Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFM120A	文件：930.12 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
IRFM120A	文件：385.13 Kbytes Page：8 Pages	AdvancedPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
IRFM120ATF	文件：274.78 Kbytes Page：7 Pages	AvalancheRuggedTechnology IEEE802.3afCompatible FEATURES ❐AvalancheRuggedTechnology ❐RuggedGateOxideTechnology ❐LowerInputCapacitance ❐ImprovedGateCharge ❐ExtendedSafeOperatingArea ❐LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=100V ❐LowerRDS(ON):0.155Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFR120	文件：56 Kbytes Page：7 Pages	8.4A,100V,0.270Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchas	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRFR120	文件：179.46 Kbytes Page：6 Pages	HEXFETPOWERMOSFET DESCRIPTION ThirdGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. FEATURES •DynamicdV/dtRating •RepetitiveAvalancheRated •SurfaceMount(IRFR120) •Str	IRF International Rectifier	IRF
IRFR120	文件：1.70201 Mbytes Page：8 Pages	IRFR120 DESCRIPTION ThirdgenerationpowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFR120	文件：4.22483 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI

详细参数

型号：
IRFF120R
功能描述：
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-205AF

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