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IRF840I	文件：151.64 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET 文件：151.64 Kbytes 页数：5 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
IRF840I_14	文件：157.91 Kbytes Page：5 Pages	Fast Switching Characteristic 文件：157.91 Kbytes 页数：5 Pages	A-POWER 富鼎先进电子	A-POWER
IRF840I	文件：300 bytes Page：1 Pages	Fast Switching Characteristic	APEC 富鼎先进电子	APEC
IRF840L	文件：176.79 Kbytes Page：9 Pages	Ease of Paralleling 文件：176.79 Kbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
IRF840LC	文件：1.51385 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION This new series of low charge Power MOSFETs achieve signiticantly lower gate charge over conventional MOSFETs. Utilizing the new LCDMOS technology, the device improvements are achieved without added product cost, allowing for reduced gate drive requirements and total system savings. I 文件：1.51385 Mbytes 页数：8 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
IRF840LC	文件：319.07 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：319.07 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

更多IRF840I供应商更新时间2025-10-13 16:06:00