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IRF840LC	文件：1.51385 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThisnewseriesoflowchargePowerMOSFETsachievesigniticantlylowergatechargeoverconventionalMOSFETs.UtilizingthenewLCDMOStechnology,thedeviceimprovementsareachievedwithoutaddedproductcost,allowingforreducedgatedriverequirementsandtotalsystemsavings.I	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF840LC	文件：319.07 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF840LC	文件：157.63 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF840LCL	文件：1.028819 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThisnewseriesoflowchargePowerMOSFETsachievesignificantlylowergatechargethenconventionalPowerMOSFETs.UtilizingthenewLCDMOS(lowchargedevicePowerMOSFETs)technology,thedeviceimprovementsareachievedwithoutaddedproductcost,allowingforreducedgatedrive	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF840LCL	文件：175.22 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThisnewseriesoflowchargePowerMOSFETsachievesignificantlylowergatechargethenconventionalPowerMOSFETs.UtilizingthenewLCDMOS(lowchargedevicePowerMOSFETs)technology,thedeviceimprovementsareachievedwithoutaddedproductcost,allowingforreducedgatedrive	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF840LCL	文件：231.4 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET FEATURES •Ultralowgatecharge •Reducedgatedriverequirement •Enhanced30VVGSrating •ReducedCiss,Coss,Crss •Extremelyhighfrequencyoperation •Repetitiveavalancherated •Materialcategorization:fordefinitionsof compliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Th	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF840LCL	文件：173.93 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=0.85ohm, Id=8.0A) Description ThisnewseriesoflowchargeHEXFET®powerMOSFETsachievesignificantlowergatechargeoverconventionalMOSFETs.UtilizingthenewLCDMOS(lowchargedeviceMOSFETs)technology,thedeviceimprovementsareachievedwithoutaddedproductcost,allowingforreducegatedriverequirem	IRF International Rectifier	IRF
IRF840LCLPBF	文件：1.028819 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThisnewseriesoflowchargePowerMOSFETsachievesignificantlylowergatechargethenconventionalPowerMOSFETs.UtilizingthenewLCDMOS(lowchargedevicePowerMOSFETs)technology,thedeviceimprovementsareachievedwithoutaddedproductcost,allowingforreducedgatedrive	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF840LCPBF	文件：1.51385 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThisnewseriesoflowchargePowerMOSFETsachievesigniticantlylowergatechargeoverconventionalMOSFETs.UtilizingthenewLCDMOStechnology,thedeviceimprovementsareachievedwithoutaddedproductcost,allowingforreducedgatedriverequirementsandtotalsystemsavings.I	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF840LCS	文件：1.028819 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThisnewseriesoflowchargePowerMOSFETsachievesignificantlylowergatechargethenconventionalPowerMOSFETs.UtilizingthenewLCDMOS(lowchargedevicePowerMOSFETs)technology,thedeviceimprovementsareachievedwithoutaddedproductcost,allowingforreducedgatedrive	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
IRF840LC
功能描述：
MOSFET N-Chan 500V 8.0 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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