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IRF7756TRPBF	文件：242.28 Kbytes Page：9 Pages	Ultra Low On-Resistance Description HEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththeruggedizeddevicedesign,thatInternationalRectifieriswellknownfor,providesthedesignerwithanextr	IRF International Rectifier	IRF
KRF7756	文件：69.03 Kbytes Page：2 Pages	HEXFETPowerMOSFET Features •UltraLowOn-Resistance •DualP-ChannelMOSFET •VerySmallSOICPackage •LowProfile(	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
MTZJT-7756B	文件：54.07 Kbytes Page：4 Pages	Zenerdiode	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
PCA7756	文件：2.51744 Mbytes Page：16 Pages	Converterfrom80-pin0.65mm-pitchQFP	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
PT7756	文件：196.9 Kbytes Page：3 Pages	15AMP24VINPUT?쏝IG-HAMMERIII??PROGRAMMABLEISR	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
PT7756A	文件：196.9 Kbytes Page：3 Pages	15AMP24VINPUT?쏝IG-HAMMERIII??PROGRAMMABLEISR	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
PT7756C	文件：196.9 Kbytes Page：3 Pages	15AMP24VINPUT?쏝IG-HAMMERIII??PROGRAMMABLEISR	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI

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详细参数

型号：
IRF7756
功能描述：
MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8-TSSOP
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
系列：
HEXFET®
产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
标准包装：
1
系列：
- FET
型：
2 个 N 沟道（双） FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
- 功率 -
最大：
1.4W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
包装：
Digi-Reel®
产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR

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更多IRF7756供应商更新时间2025-7-12 14:03:00

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