选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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易创佳业科技(深圳)有限公司3年
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Infineon Technologies8SOIC |
9000 |
23+ |
原装正品,支持实单 |
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深圳市芯福林电子科技有限公司2年
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Infineon Technologies8SOIC |
13880 |
21+ |
公司只售原装,支持实单 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
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Infineon Technologies8SOIC |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
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IR8-SO |
25000 |
22+ |
只有原装原装,支持BOM配单 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
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8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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中科航电(深圳)半导体技术有限公司7年
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InfineonTechnologies8-SOIC(0.154 |
56800 |
19+ |
3.90mmWidth) |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
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IR8-SO |
6000 |
22+ |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
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深圳市亿智腾科技有限公司3年
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Infineon Technologies原装 |
5000 |
23+ |
原装正品,提供BOM配单服务 |
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深圳市易讯博科技有限公司4年
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InfineonNA |
2118 |
22+ |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
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深圳市大联智电子有限公司2年
留言
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Infineon Technologies8SOIC |
6680 |
2022+ |
原厂原装,欢迎咨询 |
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深圳市科雨电子有限公司4年
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INFINEONSOP-8 |
3000 |
1503+ |
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IRF7809PBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRF7809PBF功能描述:MOSFET N-CH 28V 14.5A 8-SOIC RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件