选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市英瑞尔电子科技有限公司10年
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IRSOP8 |
2500 |
22+ |
进口原装现货/假一赔十 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司14年
留言
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IRSOP |
53500 |
2023+ |
正品,原装现货 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
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Infineon(英飞凌)SOP-8 |
10613 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市明盛嘉电子科技有限公司3年
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IRSOP-8 |
5000 |
21+ |
原装现货/假一赔十/支持第三方检验 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
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IRSOP |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
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INFINEON/英飞凌SO8 |
7906200 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
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IRSOP8 |
3118 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
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IRSOP-8 |
2944 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市星佑电子有限公司5年
留言
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IRSOP8 |
6000 |
21+ |
全新原装 公司现货 价格优 |
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深圳市百域芯科技有限公司3年
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BychipSOP8 |
10000 |
23+ |
高品质替代,技术支持,参数选型 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
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INFINEON/英飞凌SO8 |
120000 |
20+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市凯盛恒创科技有限公司3年
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IRSOP |
50000 |
19+ |
全新原装 |
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深圳硅原半导体有限公司7年
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IRSOP-8 |
29403 |
07+ |
原盒原标,正品现货 诚信经营 价格美丽 假一罚十 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
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IRSOIC8 |
9980 |
23+ |
价格优势/原装现货/客户至上/欢迎广大客户来电查询 |
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鑫勃源(上海北京 青岛)有限公司10年
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IRPLCC44 |
18000 |
23+ |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
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IRC-TTSOIC-8 |
18800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市佳鑫美电子科技有限公司12年
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IORSO-8 |
3200 |
22+ |
绝对原装自家现货!真实库存!欢迎来电! |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
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IRNA/ |
3345 |
23+ |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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深圳宇航军工半导体有限公司11年
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IRSOP-8 |
74722 |
19+ |
原厂代理渠道,每一颗芯片都可追溯原厂; |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
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IRSOP-8 |
69000 |
23+ |
全新原装现货热卖/代理品牌/可申请样品和规格书 |
IRF7807V采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
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IRF7807VPBF价格
IRF7807VPBF价格:¥2.0985品牌:IR
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更多IRF7807V功能描述:MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7807VD1功能描述:MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7807VD1PBF功能描述:MOSFET FETKY 30V VBRDSS 25mOhms 9.5nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7807VD1TR功能描述:MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7807VD1TRPBF功能描述:MOSFET MOSFT w/Schttky 30V 8.3A 25mOhm 9.5nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7807VD2功能描述:MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7807VD2PBF功能描述:MOSFET 30V FETKY 30 VBRD 25mOhms 9.5nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7807VD2TR功能描述:MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:FETKY™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF7807VD2TRPBF功能描述:MOSFET MOSFT w/Schttky 30V 8.3A 25mOhm 9.5nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF7807VPBF功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 25mOhms 9.5nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube