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IRF7754	文件：144.45 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET(Vdss=-12V) Description HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the ruggedized device design, that International Rectifier is well known for,provides thedesigner with an extr 文件：144.45 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7754	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET(Vdss=-12V)	Infineon 英飞凌	Infineon
IRF7754GPBF	文件：241.92 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET Ultra Low On-Resistance Description HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the ruggedized device design, that International Rectifier is well known for,provides thedesigner with an extr 文件：241.92 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
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IRF7754TRPBF	文件：240.68 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET 文件：240.68 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF

详细参数

型号：
IRF7754
功能描述：
MOSFET 2P-CH 12V 5.5A 8-TSSOP
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
系列：
HEXFET®
产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
标准包装：
1
系列：
- FET
型：
2 个 N 沟道（双） FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
- 功率 -
最大：
1.4W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
包装：
Digi-Reel®
产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR

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