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IRF7316	文件：392.68 Kbytes Page：7 Pages	丝印：IRF7316；Package：SOP-8；Dual P-Channel MOSFET Features ® Vbs(v)=-30V ® Roson) 文件：392.68 Kbytes 页数：7 Pages	UMW 友台半导体	UMW
IRF7316TR	文件：364.15 Kbytes Page：7 Pages	丝印：IRF7316；Package：SOP-8；Dual P-Channel MOSFET Features Vs (v)=-30V Rpson) 文件：364.15 Kbytes 页数：7 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
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IRF7316	文件：3.06247 Mbytes Page：5 Pages	丝印：F7316；Package：SOP-8；-30V PP-Channel Enhancement Mode MOSFET GENERAL FEATURES ● VDS = -30V b = -8 A ● ROS(ON) 文件：3.06247 Mbytes 页数：5 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
IRF7316	文件：237.94 Kbytes Page：7 Pages	HEXFET POWER MOSFET Coming Soon. If you have some information on related parts, please share useful information by adding links below. 文件：237.94 Kbytes 页数：7 Pages	IRF	IRF
IRF7316	文件：364.15 Kbytes Page：7 Pages	Dual P-Channel MOSFET Features Vs (v)=-30V Rpson) 文件：364.15 Kbytes 页数：7 Pages	EVVOSEMI 翊欧	EVVOSEMI
IRF7316TRPBF	文件：3.06247 Mbytes Page：5 Pages	-30V PP-Channel Enhancement Mode MOSFET GENERAL FEATURES ● VDS = -30V b = -8 A ● ROS(ON) 文件：3.06247 Mbytes 页数：5 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC

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详细参数

型号：
IRF7316
功能描述：
MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8-SOIC
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
系列：
HEXFET®
产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
标准包装：
1
系列：
- FET
型：
2 个 N 沟道（双） FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
- 功率 -
最大：
1.4W
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
包装：
Digi-Reel®
产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR

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详细参数

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