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IRF7205PBF	文件：278.95 Kbytes Page：9 Pages	Adavanced Process Technology Description FourthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF
IRF7205TRPBF	文件：278.95 Kbytes Page：9 Pages	Adavanced Process Technology Description FourthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF
IRF7207	文件：89.88 Kbytes Page：7 Pages	HEXFET Power MOSFET Description FifthGenerationHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellkn	IRF International Rectifier	IRF
IRF7207	文件：91.61 Kbytes Page：7 Pages	Generation 5 Technology Description FifthGenerationHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellkn	IRF International Rectifier	IRF
IRF7207PBF	文件：150.26 Kbytes Page：7 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET Description FifthGenerationHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellkn	IRF International Rectifier	IRF
IRF7207TR	文件：91.61 Kbytes Page：7 Pages	Generation 5 Technology Description FifthGenerationHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellkn	IRF International Rectifier	IRF

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技术参数

OPN：
IRF7201TRPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
SO8
VDS max：
30 V
RDS (on) @10V max：
30 mΩ
RDS (on) @4.5V max：
50 mΩ
ID @25°C max：
7.3 A
QG typ @10V：
19 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
1 V
Technology：
IR MOSFET™

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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