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IRF7201	文件：114.26 Kbytes Page：7 Pages	HEXFET Power MOSFET Description FifthGenerationHEXFET®powerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETMOSFETsarewellknownfo	IRF International Rectifier	IRF
IRF7201PBF	文件：173.99 Kbytes Page：7 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET Description FifthGenerationHEXFET®powerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETMOSFETsarewellknownfo	IRF International Rectifier	IRF
IRF7201TR	文件：119.84 Kbytes Page：7 Pages	Generation V Technology Description FifthGenerationHEXFET®powerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETMOSFETsarewellknownfo	IRF International Rectifier	IRF
IRF7204	文件：145.18 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET(Vdss=-20V, Rds(on)=0.060ohm, Id=-5.3A) Description FourthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor	IRF International Rectifier	IRF
IRF7204	文件：1.04499 Mbytes Page：7 Pages	Marking：IRF7204；Package：SOP-8；- 30V P - Channel Enhancement Mode MOSFET GeneralDescription: TheIRF7204isthesingleP-Channellogic enhancementmodepowerfieldeffecttransistorstoprovideexcellentRDS(on),lowgatechargeandlow gateresistance.It’supto-30Voperationvoltageiswell suitedinswitchingmodepowersupply,SMPS,notebookcomputerpowerm	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
IRF7204PBF	文件：243.67 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET Description FourthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF
IRF7204TR	文件：1.52782 Mbytes Page：7 Pages	Marking：IRF7204；Package：SOP-8；- 30V P - Channel Enhancement Mode MOSFET Features: RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
IRF7205	文件：65.04 Kbytes Page：2 Pages	HEXFET Power MOSFET Features •AdavancedProcessTechnology •UltraLowOn-Resistance •P-ChannelMOSFET •SurfaceMount •Dynamicdv/dtRating •FastSwitching	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
IRF7205	文件：166.22 Kbytes Page：9 Pages	HEXFET Power MOSFET Description FourthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor	IRF International Rectifier	IRF
IRF7205	文件：1.92775 Mbytes Page：5 Pages	P-Channel MOSFET Features •AdavancedProcessTechnology •UltraLowOn-Resistance •P-ChannelMOSFET •SurfaceMount •Dynamicdv/dtRating •FastSwitching	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN

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详细参数

型号：
IRF720
功能描述：
MOSFET N-Chan 400V 3.0 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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