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IRF6617	文件：170.6 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET Description TheIRF6617combinesthelatestHEXFET®PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofaMICRO-8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexistinglayout	IRF International Rectifier	IRF
IRF6617PBF	文件：244.43 Kbytes Page：9 Pages	Lead-Free (Qualified up to 260째C Reflow) Description TheIRF6617PbFcombinesthelatestHEXFET®powerMOSFETsilicontechnologywithadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofaMicro8™andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexistinglayoutg	IRF International Rectifier	IRF
IRF6617TR1	文件：170.6 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET Description TheIRF6617combinesthelatestHEXFET®PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofaMICRO-8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexistinglayout	IRF International Rectifier	IRF
IRF6617TRPBF	文件：244.43 Kbytes Page：9 Pages	Lead-Free (Qualified up to 260째C Reflow) Description TheIRF6617PbFcombinesthelatestHEXFET®powerMOSFETsilicontechnologywithadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofaMicro8™andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexistinglayoutg	IRF International Rectifier	IRF
IRF6617PBF	文件：244.43 Kbytes Page：9 Pages	Ideal for CPU Core DC-DC Converters	IRF International Rectifier	IRF
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详细参数

型号：
IRF6617
功能描述：
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 8.1mOhms 11nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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