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IRF6617	文件：170.6 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET Description The IRF6617 combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of a MICRO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layout 文件：170.6 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF6617	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 DirectFET ™ ST 封装的 30V 单 N 通道功率 MOSFET	Infineon 英飞凌	Infineon
IRF6617PBF	文件：244.43 Kbytes Page：9 Pages	Lead-Free (Qualified up to 260째C Reflow) Description The IRF6617PbF combines the latest HEXFET® power MOSFET silicon technology with advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of a Micro8™ and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layout g 文件：244.43 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF6617TR1	文件：170.6 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET Description The IRF6617 combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of a MICRO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layout 文件：170.6 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF6617TRPBF	文件：244.43 Kbytes Page：9 Pages	Lead-Free (Qualified up to 260째C Reflow) Description The IRF6617PbF combines the latest HEXFET® power MOSFET silicon technology with advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of a Micro8™ and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layout g 文件：244.43 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF6617PBF	文件：244.43 Kbytes Page：9 Pages	Ideal for CPU Core DC-DC Converters 文件：244.43 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF6617PBF_15	文件：244.43 Kbytes Page：9 Pages	Ideal for CPU Core DC-DC Converters 文件：244.43 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF6617TRPBF	文件：244.43 Kbytes Page：9 Pages	Ideal for CPU Core DC-DC Converters 文件：244.43 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF

技术参数

OPN：
IRF6617TRPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
DirectFET ST (MG-WDSON-5)
VDS max：
30 V
RDS (on) @10V max：
8.1 mΩ
RDS (on) @4.5V max：
10.3 mΩ
ID @25°C max：
55 A
QG typ @4.5V：
11 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
1.35 V
VGS(th) max：
2.35 V
VGS(th)：
1.85 V
Technology：
IR MOSFET™

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更多IRF6617供应商更新时间2025-10-5 14:14:00

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