IRF6617中文资料30V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 DirectFET 封装，额定电流为52 A。数据手册Infineon规格书
技术参数
- 制造商编号
：IRF6617
- 生产厂家
：Infineon
- OPN
：IRF6617TRPBF
- Qualification
：Non-Automotive
- Package name
：DirectFET ST (MG-WDSON-5)
- VDS max
：30 V
- RDS (on) @10V max
：8.1 mΩ
- RDS (on) @4.5V max
：10.3 mΩ
- ID @25°C max
：55 A
- QG typ @4.5V
：11 nC
- Polarity
：N
- VGS(th) min
：1.35 V
- VGS(th) max
：2.35 V
- VGS(th)
：1.85 V
- Technology
：IR MOSFET™
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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IR |
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