IRF530中文资料Power Field Effect Transistor数据手册TRANSYS规格书
IRF530规格书详情
描述 Description
Power Field Effect Transistor
N-Channel Enhancement-Mode Silicon GateTMOS POWER FET 14 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.140 Ω
技术参数
- 型号：
IRF530
- 功能描述：
MOSFET N-Chan 100V 9.2 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
22+ |
TO-220 |
3800 |
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询价 | ||
IR |
23+ |
TO-220 |
7000 |
询价 | |||
IR |
23+ |
TO-220 |
6000 |
原装正品，支持实单 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
N |
30000 |
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IR |
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TO-220 |
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TO-220 |
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TO-220 |
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IR |
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TO-220 |
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IR |
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