IRF520N中文资料100V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 TO-220AB 封装数据手册Infineon规格书
IRF520N规格书详情
特性 Features
优势:
• 符合 RoHS
• 低 RDS(on)
• 具有业内先进的品质
• 动态的dv/dt额定值
• 快速开关
• 完全雪崩额定值
• 175°C 的工作温度
应用 Application
• 消费类全桥
• 全桥
• 推挽
技术参数
- 制造商编号
:IRF520N
- 生产厂家
:Infineon
- OPN
:IRF520NPBF
- Qualification
:Non-Automotive
- Package name
:TO220
- VDS max
:100 V
- RDS (on) @10V max
:200 mΩ
- ID @25°C max
:9.7 A
- QG typ @10V
:16.7 nC
- Polarity
:N
- VGS(th) min
:2 V
- VGS(th) max
:4 V
- VGS(th)
:3 V
- Technology
:IR MOSFET™
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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INFINEON/英飞凌 |
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