IRF510中文资料HEXFET power MOSFET. VDSS = 100V, RDS(on) = 0.54 Ohm, ID = 5.6A数据手册Infineon规格书
IRF510规格书详情
描述 Description
HEXFET power MOSFET. VDSS = 100V, RDS(on) = 0.54 Ohm, ID = 5.6A
技术参数
- 型号：
IRF510
- 功能描述：
MOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MOT/KOREA |
23+ |
NA |
6500 |
全新原装假一赔十 |
询价 | ||
IR |
24+ |
NA/ |
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询价 | ||
ST |
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IR |
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TO-220 |
36900 |
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IR |
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IR |
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原厂封装 |
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