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BY252	文件：119.19 Kbytes Page：2 Pages	MEDIUMCURRENTPLASTICRECTIFIER FEATURE •Highsurgecurrentcapability •PlasticpackagehasunderwriterslaboratoryFlammabilityclassification94V-O •Lowleakage •Void-freemoldedinDO-201ADplasticpackage •Highcurrentoperationof3AmperseatTA=95°Cwithnothermalrunaway •ExceedsenviromentalstandardofMIL	CHENG-YICHENG-YI ELECTRONIC CO., LTD. 辰頤電子辰頤電子有限公司	CHENG-YI
BY252	文件：47.98 Kbytes Page：2 Pages	SILICONRECTIFIERDIODES	EIC EIC	EIC
BY252	文件：207.14 Kbytes Page：2 Pages	AXIALSILASTICGUARDJUNCTIONSTANDARDRECTIFIER FEATURES •Lowcoatconstruction •Lowforwardvoltagedrop •Lowreverseleakage •Highforwardsurgecurrentcapability •Hightemperaturesolderingguaranteed:260℃/10secods/.375”(9.5mm)leadlengthat5lbs(2.3kg)tension	PFSShenzhen Ping Sheng Electronics Co., Ltd. 平盛电子深圳市平盛电子有限公司	PFS
BY252	文件：57.25 Kbytes Page：2 Pages	MEDIUMCURRENTPLASTICRECTIFIER	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
BY252	文件：99.85 Kbytes Page：2 Pages	SiliconRectifierDiodes-Silizium-Gleichrichterdioden	DiotecDIOTEC 德欧泰克	Diotec
IRFP252	文件：493.77 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel(HexfetTransistors)	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRFP252	文件：518.69 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMosfets	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
IRFP252	文件：49.56 Kbytes Page：1 Pages	HighVoltagePowerMOSFETDieN-ChannelEnhancementModeHighRuggednessSeries FEATURES: •Fastswitchingtimes •LowRDS(on)HDMOS™process •Ruggedpolysilicongatecellstructure •Excellenthighvoltagestability •Lowinputcapacitance •Improvedhightemperaturereliability APPLICATIONS: •Switchingpowersupplies •Motorcontrols •AudioAmplifiers •Invert	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
IRFP252	文件：67.82 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFS252	文件：265.48 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
ISCN252I	文件：267.11 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
KBPC252	文件：390.23 Kbytes Page：2 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFSINGLE-PHASESILICONBRIDGERECTIFIER VOLTAGERANGE-50to1000VoltsCURRENT-25Amperes FEATURES MetalcaseforMaximumHeatDissipation Surgeoverloadratings-400Amperes *Lowforwardvoltagedrop	DCCOMDc Components 直流元件直流元件有限公司	DCCOM
KSR252GLFS	文件：158.94 Kbytes Page：2 Pages	SubminiatureTactSwitchforSMT	CK-COMPONENTS C&K Components	CK-COMPONENTS
L-252	文件：37.25 Kbytes Page：1 Pages	CommonModeInductors	RHOMBUS-IND Rhombus Industries Inc.	RHOMBUS-IND
L-252	文件：67.44 Kbytes Page：2 Pages	CommonModeInductors	RHOMBUS-IND Rhombus Industries Inc.	RHOMBUS-IND
LAVI-252H	文件：350.17 Kbytes Page：2 Pages	FrequencyMixer	MINIMini-Circuits 微型电路	MINI
LAVI-252H+	文件：350.17 Kbytes Page：2 Pages	FrequencyMixer	MINIMini-Circuits 微型电路	MINI
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LAVI-U252VH	文件：357.82 Kbytes Page：2 Pages	FrequencyMixer	MINIMini-Circuits 微型电路	MINI

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详细参数

型号：
IRF252
制造商：
SAMSUNG
制造商全称：
Samsung semiconductor
功能描述：
N-CHANNEL POWER MOSFETS

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更多IRF252供应商更新时间2024-5-13 15:50:00

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