丝印：11DP10NM；Package：PG-TO252-3；OptiMOS Power-Transistor,-100V

Features *P-channel *100 avalanche tested *normal level *Enhancement mode *Pb-free lead plating; RoHS compliant *Halogen-free according to IEC61249-2-21

文件：1.80085 Mbytes 页数：11 Pages

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普通级 P 沟道 MOSFET，降低中低功率应用的设计复杂性

\n优势:\n• Industry standard package \n• Ideal for high and low switching frequency\n• Avalanche ruggedness\n• Easy interface to MCU\n• Improved efficiency at low loads due to low Qf\n• Reduced design complexity\n• Energy efficiency;

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