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IPD170N04NG	文件：196.91 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS3 Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
ADM170N04	文件：807.9 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor Features: ●LowGateChargeforFastSwitchingApplication ●LowRDS(ON)toMinimizeConductiveLoss ●100%EASGuaranteed ●OptimizedV(BR)DSSRuggedness ●Lead-Free,RoHSCompliant Description: TheADM170N04seriesMOSFETsisanewtechnology,whichcombinesaninnovativesuperjunct	ADVAdvanced (Shenzhen) Electronics Co.,Ltd 爱德微爱德微(深圳)电子有限公司	ADV
ADM170N04G	文件：807.83 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor Features: ●LowGateChargeforFastSwitchingApplication ●LowRDS(ON)toMinimizeConductiveLoss ●100%EASGuaranteed ●OptimizedV(BR)DSSRuggedness ●Lead-Free,RoHSCompliant Description: TheADM170N04GseriesMOSFETsisanewtechnology,whichcombinesaninnovativesuperjunc	ADVAdvanced (Shenzhen) Electronics Co.,Ltd 爱德微爱德微(深圳)电子有限公司	ADV

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OptiMOS3 Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon

ADM170N04

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N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

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详细参数

型号：
IPD170N04NG
制造商：
Infineon Technologies AG

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