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IPD30N06S2-23	文件：300 bytes Page：1 Pages	55 V、N 沟道、最大 23 mΩ、汽车 MOSFET、DPAK、OptiMOS ™ • N-channel - Enhancement mode\n • Automotive AEC Q101 qualified\n • MSL1 up to 260°C peak reflow\n • 175°C operating temperature\n • Green package (lead free)\n • Ultra low Rds(on)\n • 100% Avalanche tested\n\n优势:\n• world's lowest RDS at 55V (on) in planar technology\n • highest;	Infineon 英飞凌	Infineon
IPD30N06S2-23	文件：155.41 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOS Power-Transistor 文件：155.41 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
SPD30N06S2-23	文件：260.98 Kbytes Page：8 Pages	OptiMOS Power-Transistor 文件：260.98 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPD30N06S2L-13	文件：0 bytes Page：0 Pages	英飞凌 TO-252	英飞凌上传：深圳庞田科技有限公司	英飞凌
IPD30N06S2L-13	文件：0 bytes Page：0 Pages	INFINEON TO-252	Infineon 英飞凌上传：深圳市科芯源微电子有限公司	Infineon

技术参数

OPN：
IPD30N06S223ATMA2
Qualification：
Automotive
Package name：
DPAK (PG-TO252-3)
VDS max：
55 V
RDS (on) @10V max：
23 mΩ
ID @25°C max：
30 A
QG typ @10V：
25 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
2.1 V
VGS(th) max：
4 V
Technology：
OptiMOS™

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市安富世纪电子有限公司	IPD30N06S2-23	INFINEON/英飞凌	20+	TO-252	16300	终端可免费提供样品,欢迎咨询	询价
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更多IPD30N06S2-23供应商更新时间2025-10-5 13:01:00

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