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IPB018N06NF2S	文件：1.05148 Mbytes Page：11 Pages	丝印：018N06NS；Package：PG-TO263-3；StrongIRFETTM2 Power-Transistor Features • Optimized for wide range of applications • N-channel, normal level • 100 avalanche tested • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Halogen-free according to IEC61249-2-21 文件：1.05148 Mbytes 页数：11 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IPB018N06NF2S	文件：300 bytes Page：1 Pages	StrongIRFET ™ 2 单 N 沟道功率 MOSFET 60 V，采用 D²PAK 封装 \n优势:\n• Multi-vendor compatibility\n• Right-fit products\n• Supports a wide variety of applications\n• Standard pinout allows for drop-in replacement\n• Increased current carrying capability\n• Ease of manufacturing;	Infineon 英飞凌	Infineon
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