丝印：024N08NS；Package：PG-TO263-3；MOSFET StrongIRFETTM 2 Power-Transistor

Features • Optimized for a wide range of applications • N-Channel, normal level • 100 avalanche tested • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Halogen-free according to IEC61249-2-21

文件：1.13307 Mbytes 页数：11 Pages

Infineon

英飞凌

StrongIRFET ™ 2 单 N 沟道功率 MOSFET 80 V，采用 D²PAK 封装

英飞凌的 StrongIRFET ™ 2 功率 MOSFET 80 V 具有 2.4 mOhm 的低 RDS(on)，可满足从低开关频率到高开关频率的广泛应用。 • 可从分销合作伙伴处获取\n• 适用于高和低开关频率\n• 高额定电流;

Infineon

英飞凌

StrongIRFETTM2Power-Transistor

Features •Optimizedforawiderangeofapplications •N-Channel,normallevel •100avalanchetested •Pb-freeleadplating;RoHScompliant •Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21

文件：1.05509 Mbytes 页数：11 Pages

Infineon

英飞凌

TO-263

英飞凌/实单必成

上传：深圳市拓芯泰电子科技有限公司

TO-263

Infineon

英飞凌

上传：深圳市亿鸿丰电子科技有限公司