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IPB038N12N3-G	文件：878.72 Kbytes Page：11 Pages	N-channel, normal level Features •N-channel,normallevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant,halogenfree •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication •Idealforhigh-frequencyswitch	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPB038N12N3	文件：878.72 Kbytes Page：11 Pages	N-channel,normallevel Features •N-channel,normallevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant,halogenfree •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication •Idealforhigh-frequencyswitch	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
IPB038N12N3G	文件：507.87 Kbytes Page：11 Pages	OptiMOSTM3Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
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IPB038N12N3G	文件：244.77 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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更多IPB038N12N3-G供应商更新时间2024-6-14 16:04:00

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