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|---|---|---|---|---|
IPB03N03LA | OptiMOS 2 Power-Transistor 文件:317.68 Kbytes 页数:10 Pages | INFINEON 英飞凌 | INFINEON | |
IPB03N03LA | OptiMOS 2 Power-Transistor 文件:317.7 Kbytes 页数:10 Pages | INFINEON 英飞凌 | INFINEON | |
OptiMOS짰2 Power-Transistor 文件:291.41 Kbytes 页数:9 Pages | INFINEON 英飞凌 | INFINEON | ||
IPB03N03LA | MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK | Infineon 英飞凌 | Infineon | |
OptiMOS®2 Power-Transistor | Infineon 英飞凌 | Infineon |
详细参数
- 型号:
IPB03N03LA
- 功能描述:
MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK
- RoHS:
否
- 类别:
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列:
OptiMOS™
- 标准包装:
1,000
- 系列:
MESH OVERLAY™ FET
- 型:
MOSFET N 通道,金属氧化物 FET
- 特点:
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss):
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C:
18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C:
180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的
- Vgs(th)(最大):
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs:
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds:
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大:
40W
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装:
TO-220FP
- 包装:
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
25+ |
TO-263 |
32000 |
INFINEON/英飞凌全新特价IPB03N03LA即刻询购立享优惠#长期有货 |
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INFINEON |
24+ |
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INFINEON |
2012+ |
TO-263 |
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INFINEON |
25+ |
TO-263 |
90000 |
一级代理商进口原装现货、价格合理 |
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23+ |
TO-220 |
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INFINEON |
24+ |
TO263 |
30980 |
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infineon |
25+ |
to-263/d2 |
32500 |
普通 |
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