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详细参数
- 型号：
IPB042N10N3GE818XT
- 功能描述：
MOSFET OptiMOS Power Transistor
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies |
23+ |
原装 |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
23+ |
原装 |
7000 |
询价 | |||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO-263 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
TO-263 |
60000 |
全新原装现货 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
2018+ |
TO-263 |
15000 |
询价 | |||
INFINEON/英飞凌 |
2022+ |
5500 |
原厂原装,假一罚十 |
询价 | |||
INFINEON/英飞凌 |
NA |
275000 |
一级代理原装正品,价格优势,长期供应! |
询价 | |||
INFINEON/英飞凌 |
2023+ |
TO-263-3 |
20000 |
AI智能識别、工業、汽車、醫療方案LPC批量及配套一站 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
1625+ |
TO-263 |
15 |
只做原装正品 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
TO-263 |
43200 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
询价 |
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更新时间2026-2-5 15:01:00
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